Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне, 978-5-94836-377-6

780,00 руб

Краткое описание:

Издательство: Техносфера
Автор: Б. П. Вонг
Страниц: 432
Переплет: Мягкая обложка
Язык: Русский
Вес: 723
ISBN: 978-5-94836-377-6, 978-0-471-46610-9
Бумажный вариант

В корзину

на складе у поставщика

Подробно:

Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса. Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих...
 

Рекомендуем: