Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, 978-5-94836-289-2

1086,00 руб

Краткое описание:

Издательство: Техносфера
Автор: Геннадий Красников
Страниц: 800
Переплет: Твердый переплет
Язык: Русский
Вес: 1225
ISBN: 978-5-94836-289-2
Бумажный вариант

В корзину

нет в наличии

Подробно:

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также...
 

Рекомендуем: